Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Реферативна база даних (31) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Белоголовский М$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 15 Представлено документи з 1 до 15 |
|||
| 1. | 
Белоголовский М. А. Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев [Електронний ресурс] / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин, А. И. Хачатуров, Т. А. Хачатурова // Электроника и связь. - 2013. - № 1. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_1_3 В рамках двухзонной модели электронной структуры изолятора показано, что учет влияния верхнего края валентной зоны на туннелирование зарядов сквозь наноразмерные слои магнитного диэлектрика приводит к устранению гигантского расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями магнетосопротивления двойных спиновых фильтров. Установлено, что туннельное магнетосопротивление контактов, образованных ферромагнитными Fe электродами и двухзонным изолятором, радикально зависит от положения химического потенциала внутри запрещенной зоны диэлектрика. | ||
| 2. |
Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов [Електронний ресурс] / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Электроника и связь. - 2013. - № 2. - С. 9-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_2_3 Показано, что электромиграция ионов кислорода под действием переменных электрических полей является основной причиной возникновения двузначной зависимости тока от напряжения в контактах металлического электрода со сложным оксидом переходных металлов. Этот эффект предлагается использовать для существенного расширения функциональных возможностей мемристора, нового базового элемента наноэлектроники. | ||
| 3. | 
Белоголовский М. А. Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика [Електронний ресурс] / М. А. Белоголовский // Физика и техника высоких давлений. - 2014. - Т. 24, № 1. - С. 25-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2014_24_1_3 Теоретически изучены особенности электронного туннелирования через неупорядоченные наноразмерные слои диэлектрика. Получены аналитические выражения для транспортных характеристик контактов металл - изолятор - металл с неоднородной диэлектрической прослойкой и универсальные соотношения, описывающие распределение вероятностей прохождения заряда через разупорядоченную систему потенциальных барьеров. Проанализированы два предельных случая: узкие и высокие барьеры с резкими границами и сравнительно широкие и низкие барьеры, описываемые квазиклассическим приближением. Предсказаны изменения функции распределения прозрачностей аморфного диэлектрического слоя под действием высоких давлений. | ||
| 4. | 
Белоголовский М. А. Додекаборид циркония - первый сверхпроводник с улучшенными приповерхностными характеристиками [Електронний ресурс] / М. А. Белоголовский, В. Г. Бутько, А. П. Шаповалов, В. Е. Шатерник // Успехи физики металлов. - 2010. - Т. 11, № 4. - С. 509-524. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhM_2010_11_4_4 Приведен обзор результатов экспериментальных исследований и теоретических расчетов электронных характеристик монокристаллов додекаборида циркония. Показано, что ZrB | ||
| 5. |
Белоголовский М. А. Универсальный характер туннельной проводимости гетероструктур металл-изолятор-металл с наноразмерными оксидными прослойками [Електронний ресурс] / М. А. Белоголовский, И. В. Бойло, В. Е. Шатерник // Успехи физики металлов. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 157-181. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhM_2011_12_2_2 Обсуждены два универсальных эффекта в туннельных характеристиках слоистых структур металл - изолятор - металл, в которых диэлектрический барьер сформирован наноразмерной разупорядоченной плёнкой оксида: универсальное распределение прозрачностей такого слоя, независящее от конкретных микроскопических характеристик, и изменение дифференциальной проводимости таких гетероструктур с напряжением по степенному закону с показателем степени, близким к 1,33. Приведены экспериментальные результаты для сверхпроводящих трёх- и четырёхслойных структур с неоднородными туннельными барьерами, подтверждающие существование универсального распределения их прозрачностей, и его простая теоретическая интерпретация, основанная на гипотезе о равнораспределении произведения высоты барьера на путь, который электрон проходит внутри него. Показано, что с ростом толщины дефектного слоя изолятора доминирующим механизмом проводимости становится неупругое туннелирование с испусканием бозонных возбуждений, в результате чего зависимость дифференциальной проводимости от напряжения приобретает степенной характер с показателем степени, который характеризует число локализованных внутри барьера состояний, вовлечённых в процесс переноса заряда сквозь него. Показано, что для материалов с фононной плотностью состояний, которая слабо зависит от энергии, показатель степени 1,33 соответствует прыжковой туннельной проводимости с участием двух дефектных состояний. Детально обсуждаются соответствующие экспериментальные данные для разупорядоченных диэлектрических слоев на поверхности манганитов. | ||
| 6. | 
Шатерник В. Е. Переходы Джозефсона на базе двухзонных сверхпроводников с разными функциями распределения прозрачностей [Електронний ресурс] / В. Е. Шатерник, Т. А. Прихна, М. А. Белоголовский, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник // Металлофизика и новейшие технологии. - 2013. - Т. 35, № 1. - С. 37-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2013_35_1_6 | ||
| 7. | 
Шатерник В. Е. Додекаборид циркония — новый сверхпроводящий материал с необычно повышенными сверхпроводящими свойствами на поверхности [Електронний ресурс] / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, В. Л. Носков, М. А. Белоголовский, В. Г. Бутько, В. Б. Филиппов, В. В. Шамаев // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 1. - С. 77-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_1_11 | ||
| 8. |
Шаповалов А. П. Туннельные переходы на основе тонких плёнок MgB2 с разными функциями распределения прозрачностей [Електронний ресурс] / А. П. Шаповалов, С. Ю. Ларкин, В. Е. Шатерник, Т. А. Прихна, В. Л. Носков, М. А. Белоголовский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 4. - С. 747-758. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_4_4 Получены и исследованы перспективные переходы Джозефсона вида MgB | ||
| 9. | 
Прихна Т. А. Формирование наноструктуры материалов на основе диборида магния с высокими значениями сверхпроводящих характеристик [Електронний ресурс] / Т. А. Прихна, А. П. Шаповалов, Г. Е. Гречнев, В. Г. Бутько, А. А. Гусев, А. В. Козырев, М. А. Белоголовский, В. Е. Мощиль, В. Б. Свердун // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 5. - С. 486-505. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_5_10 Приведен анализ сверхпроводящих свойств массивных материалов на основе диборида магния, полученных путем нагрева при высоких квазигидростатических давлениях (1 - 2 ГПа) методами горячего прессования (30 МПа), электроспекания под давлением (16 - 96 МПа) и свободного спекания. Показано, что оптимизация распределения примесей в MgB | ||
| 10. |
Шатерник В. Е. Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах [Електронний ресурс] / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Суворов, Н. А. Скорик, М. А. Белоголовский // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 5. - С. 544-547. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_5_15 Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры, состоящие из сверхпроводниковых обкладок (сплав молибдена с рением) и допированного вольфрамом наноразмерного слоя кремния. В интервале напряжений от -800 до 800 мВ и при температурах 4,2 - 8 К измерены вольтамперные характеристики таких переходов, на которых впервые наблюдались локальные максимумы тока на фоне скачкообразного увеличения его величины. Положения этих особенностей, симметричных относительно нуля напряжений, менялись от образца к образцу в пределах 40 - 300 мВ. С ростом температуры они размывались и полностью пропадали с исчезновением сверхпроводимости в электродах. Природу наблюдаемых сингулярностей мы связываем с особенностями электронного туннелирования через локализованные в полупроводниковом барьере примесные состояния. Использование сверхпроводящего электрода усиливает взаимодействие локализованного электрона с электронами проводимости благодаря корневой расходимости в плотности электронных состояний сверхпроводника. | ||
| 11. |
Шатерник В. Е. Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe [Електронний ресурс] / В. Е. Шатерник, М. А. Белоголовский, А. П. Шаповалов, А. Ю. Суворов // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - Т. 36, № 8. - С. 999-1006. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2014_36_8_3 Исследованы вольтамперные характеристики гетеропереходов вида MoRe - Si(W) - MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si(W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Установлено, что при относительно высоких концентрациях (5 - 9 ат. %) вольфрама в кремниевом барьере наблюдается резонансный туннельный эффект через локализованные уровни вольфрамовых кластеров. Одновременно при определенных условиях в таких переходах появляется сверхпроводящий ток Джозефсона, обусловленный многократными андреевскими отражениями боголюбовских квазичастиц (квазиэлектронов и квазидырок). Экспериментально наблюдаемый большой избыточный ток квазичастиц через переходы свидетельствует о существенном по величине вкладе в транспорт заряда от андреевских отражений на двух S/N-интерфейсах исследуемых джозефсоновских гетероструктур. | ||
| 12. |
Руденко Э. М. Магнитные и релаксационные явления в плёночных гетероструктурах Si—TiN—Fe с углеродными нанотрубками [Електронний ресурс] / Э. М. Руденко, Э. Е. Зубов, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, А. П. Шаповалов, Д. Ю. Полоцкий, С. И. Бондаренко, Ю. А. Савина // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 10. - С. 1369-1376. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_10_8 Представлены результаты измерений температурных и полевых зависимостей магнитного момента гетероструктур Si - TiN - Fe и Si - TiN - Fe/C с нанокластерами железа в магнитных полях, направленных вдоль и перпендикулярно плоскости подложки. В интервале температур от 5 до 300 К наблюдался суперпарамагнитный характер поведения восприимчивости данной системы с достаточно сильной анизотропией. При температуре порядка 150 К обнаружено качественное изменение магнитных свойств исследованных структур, связанное со скачкообразным изменением величины парамагнитной температуры. Установлено, что вклад углерода в магнитные и релаксационные характеристики изученных гетероструктур является определяющим. | ||
| 13. |
Белоголовский М. Низкоэнергетические спектры дифференциальной проводи-мости и дробового шума в туннельных переходах на основе сверхпроводников с подавленным на S–N ин-терфейсе параметром порядка [Електронний ресурс] / М. Белоголовский, Е. Житлухина, О. Егоров // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 11. - С. 1354-1359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_11_10 | ||
| 14. |
Руденко Э. М. Взаимная конверсия синглетного и триплетного упорядочений в контактах синглетного сверхпроводника с ферромагнитным никелем [Електронний ресурс] / Э. М. Руденко, А. А. Краковный, И. В. Короташ, М. А. Белоголовский // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 12. - С. 1800-1804. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_12_17 Исследована зависимость плотности квазичастичных состояний пленки свинца, традиционного сверхпроводника с синглетным по спину спариванием электронов, от толщины наноразмерного слоя ферромагнитного никеля, который находится в непосредственном контакте со свинцом (обратный эффект близости). Обнаружено, что глубина проникновения сверхпроводящих корреляций в ферромагнитный никель имеет тот же порядок величины, что и в контактах свинца с нормальным металлом. Такое поведение можно объяснить возникновением на интерфейсе неоднородного обменного поля, которое приводит к эффективной конверсии спин-синглетных (быстро затухающих в ферромагнетике) куперовских пар в спин-триплетные пары, устойчивые по отношению к обменному взаимодействию. | ||
| 15. |
Свистунов В. М. Транспортные характеристики туннельных гетероструктур: переход от квантового к классическому пределу [Електронний ресурс] / В. М. Свистунов, И. В. Бойло, М. А. Белоголовский // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 4. - С. 440-445. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_4_14 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |